型號(hào)概述

主要性能特點(diǎn)

●  ?具有 6? 位分辨率，相比同類產(chǎn)品頗具性能優(yōu)勢(shì)

●  支持功率半導(dǎo)體、HBLED、光學(xué)器件、太陽能電池、GaN、SiC 和其他復(fù)合材料與設(shè)備的檢定/測(cè)試。應(yīng)用范圍包括半導(dǎo)體結(jié)溫度檢定；高速、高精度數(shù)字化；電遷移研究；以及高電流、高功率設(shè)備測(cè)試

●  提供功率半導(dǎo)體器件檢定和測(cè)試所需的高壓，包括 GaN、SiC 及其他復(fù)合材料和器件、高達(dá) 3kV 的擊穿和漏電測(cè)試以及亞毫秒瞬態(tài)檢定

●  支持通過任何瀏覽器、任何計(jì)算機(jī)、從全球任何地方進(jìn)行遠(yuǎn)程控制

●  支持精確檢定瞬態(tài)和穩(wěn)態(tài)行為，包括快速變化的熱效應(yīng)

●  可讓多臺(tái) 2651A 與所選 2600B 系列 SMU 儀器組合成多達(dá) 32 條通道的集成系統(tǒng)

●  為封裝件或晶片級(jí)高功率器件的測(cè)試提供安全而方便的連接

●  幫助您創(chuàng)建、修改、調(diào)試和存儲(chǔ) TSP 測(cè)試腳本

●  在產(chǎn)品開發(fā)、質(zhì)量檢驗(yàn)或故障分析期間執(zhí)行封裝件檢定時(shí)，充分地提高工作效率

產(chǎn)品應(yīng)用

●  功率半導(dǎo)體器件特征分析與測(cè)試

●  GaN、SiC和其它一些復(fù)合材料與器件 的特征分析

●  高達(dá)3kV的擊穿與漏流測(cè)試

●  亞毫秒瞬態(tài)特征分析

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